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  • 17
    2025-09
    在实际应用中,注入机离子源灯丝的材质选择需重点适配SiC晶圆的注入需求,通常优先选用钨铼合金等耐高温材质,这类材质能在SiC注入所需的高温环境下保持结构稳定,减少灯丝因高温氧化或形变导致的性能衰减...
  • 17
    2025-09
    实际检测中,首先可采用外观检测法,借助高倍放大镜或工业相机对注入机离子源配件表面进行细致观察,重点排查是否存在肉眼可见的涂层剥落、划痕或颜色不均,这类现象往往是涂层磨损的初期信号...
  • 17
    2025-09
    在具体措施方面,首先需注重半导体设备配件的选型适配,例如引线键合工序中,焊头配件需匹配芯片引脚材质与键合工艺要求,避免因配件与工艺不兼容导致键合强度不足;塑封工序的模具配件需具备均匀的温控性能,确保塑封料充分固化。
  • 17
    2025-09
    在功率半导体封装环节,丹东半导体设备可适配功率模块的多引脚焊接、热界面材料涂覆等工艺需求,通过稳定的机械传动与参数监控,确保封装过程中焊点的可靠性与热传导效率,满足功率半导体长期运行的耐用性要求。
  • 17
    2025-09
    丹东离子源配件通过优化离子产生与传输效率,帮助质谱分析设备在面对复杂样品时,依然能保持稳定的离子输出,减少因离子化不充分导致的分析误差,为后续检测环节提供优质的离子源基础,满足不同行业对样品定性、定量分析的严苛需求。
  • 13
    2025-09
    蒸发台坩埚适配不同蒸发物料选择指南是保障蒸发镀膜工艺效率与质量的核心参考,其关键价值在于根据各类蒸发物料的物理化学特性,匹配性能适配的坩埚材质与规格,避免因适配不当导致物料污染、坩埚损耗加剧或工艺参数失控等问题。
  • 13
    2025-09
    当前常用的蒸发台行星锅腔体密封性检测方法包括压力衰减法、氦质谱检漏法等。压力衰减法通过向腔体内充入一定压力的气体,静置一段时间后监测压力变化,若压力下降超出设定范围,则表明腔体存在泄漏;氦质谱检漏法则利用氦气作为示踪气体,通过质谱仪检测腔体外部氦气浓度,定位微小泄漏点,适用于对密封性要求较高的工艺场景。
  • 13
    2025-09
    环境参数控制是离子源弧光室运行稳定性保障的基础。需实时监测弧光室所在腔体的真空度,通过定期维护真空泵组、检查密封部件密封性,确保真空环境符合弧光室工作要求,避免因空气泄漏导致弧光放电异常
  • 13
    2025-09
    开展蒸发台配件故障排查时,需遵循 “先外观后功能、先静态后动态” 的基本思路。首先检查配件外观状态,如观察加热组件是否存在变形、开裂,密封圈是否出现老化、破损,连接线路有无松动、氧化等情况,这些直观可见的异常往往是故障的直接诱因。
  • 13
    2025-09
    当前主流的注入机离子源灯丝表面处理工艺包括真空镀膜、离子溅射清洗、化学抛光等。真空镀膜工艺通过在灯丝表面形成一层致密的耐高温涂层,可有效隔绝空气与离子侵蚀,降低灯丝氧化速率