不同镀膜场景 蒸发台坩埚选型与蒸发台行星锅参数调整

蒸发台坩埚是半导体镀膜工艺中适配不同物料的核心蒸发台配件，其选型合理性与蒸发台行星锅的参数匹配度，直接影响薄膜沉积的均匀性与工艺稳定性。在金属镀膜、氧化物镀膜、半导体薄膜制备等不同场景中，蒸发台坩埚需结合物料特性、温度要求进行针对性选择，同时通过调整蒸发台行星锅的运行参数，与注入机离子源配件等形成协同，满足多样化镀膜需求。

金属镀膜场景中，蒸发台坩埚优先选用99.95%高纯钼材质，其耐高温性能适配1800℃以下的蒸发需求，可减少物料污染风险。对应的蒸发台行星锅需将公转与自转比例设定为3:1，转速控制在8转/分钟左右，抑制阴影效应带来的沉积偏差。

氧化物镀膜场景下，氧化铝材质的蒸发台坩埚更为适配，其化学稳定性强，可耐受1750℃高温，避免与氧化物物料发生反应。此时需适当提高蒸发台行星锅转速至10-12转/分钟，通过加快物料受热循环，提升薄膜致密性。

半导体薄膜制备场景中，氮化硼涂层石墨材质的蒸发台坩埚是常用选择，其低杂质释放特性符合半导体工艺对纯度的要求。蒸发台行星锅需采用缓速运行模式，保持公转自转比例2:1，配合离子源弧光室的工作状态，维持等离子体环境的稳定性。

合理的蒸发台坩埚选型与蒸发台行星锅参数调整，是适配不同镀膜场景的关键，既能发挥各配件的协同效能，也能为半导体制造的稳定开展提供支撑。