蒸发台坩埚清洁流程 保障设备性能的实操步骤

蒸发台坩埚作为半导体制造中晶圆镀膜、材料提纯等环节的核心配件，其内壁洁净度直接关联半导体材料纯度与工艺稳定性，若长期残留金属离子、有机污染物或工艺残渣，不仅会降低传热均匀性、影响蒸发效率，还可能导致晶圆镀膜缺陷，因此规范执行蒸发台坩埚清洁流程，是维持设备稳定性能、保障半导体工艺良率的关键举措，同时也能为后续生产环节的合规性提供基础保障。

开展蒸发台坩埚清洁前，需先完成设备停机与冷却操作，待坩埚温度降至室温后，使用半导体行业专用的聚四氟乙烯或陶瓷工具，轻轻清理内壁附着的块状工艺残渣，避免使用金属工具刮伤坩埚内壁，防止后续使用中出现物料粘连或杂质嵌入问题；随后根据残留污染物特性，选用符合半导体级标准的中性清洗剂（避免酸性或碱性过强的清洗剂损伤坩埚涂层或引入杂质），按比例与超纯水混合制成清洁液，倒入坩埚后开启设备低速搅拌功能，使清洁液充分浸润内壁，浸泡20-30分钟以软化顽固污染物。

清洁液浸泡完成后，用半导体专用软毛刷对坩埚内壁进行全面刷洗，重点清洁底部、边角等易积垢区域，确保无污染物残留；刷洗后用超纯水多次冲洗蒸发台坩埚内壁，直至通过离子色谱检测确认冲洗水中无清洗剂残留与金属离子；冲洗完毕后，将坩埚置于百级洁净间内，开启设备自带的真空烘干功能，或采用氮气吹干方式，确保坩埚内壁完全干燥，避免残留水分影响半导体工艺；最后通过高倍显微镜检查坩埚内壁是否存在划痕、涂层破损等异常，确认清洁达标后，方可记录清洁信息并投入下次使用，通过标准化清洁流程，有效保障蒸发台坩埚的稳定运行性能。