从20世纪60年代开始,人们将一定量的硼、磷或其他元素的离子注入到半导体材料中,形成掺杂。掺杂的浓度可通过积分离子流强度来控制。离子注入方法的重复性、可靠性比扩散法好。离子注入掺杂在半导体大规模集成电路的生产中已成为重要环节,用离子注入法取代旧的扩散等工艺在有些器件中已成为必然趋势。
离子注入在金属材料的改性中获得的结果十分引人注目。在常用金属的离子注入改性中,可以提高金属的硬度、抗腐蚀性能和抗耐久强度,降低金属的磨损率。某些绝缘材料如陶器、玻璃、材料经离子束照射以后,性质发生重要的变化,获得新的用途。
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